Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF10B60D2 — напівпровідниковий прилад у корпусі TO220F. У комплекті 20 одиниць.

• Тип транзистора: IGBT (польовий)
• Максимальна напруга колектор-емітер: 600 В
• Максимальний струм колектора: 10 А
• Корпус: TO220F, вставний монтаж
• Напруга насичення колектор-емітер: 1,55 В
• У комплекті: 20 шт.

Транзистор розрахований на максимальну напругу колектор-емітер 600 В та струм колектора 10 А. Максимальна потужність розсіювання становить 12 Вт. Напруга насичення колектор-емітер дорівнює 1,55 В.

Енергія вимикання — 0,04 мДж, енергія включення — 0,14 мДж. Заряд затвора — 9,4 нКл.

Прилад виконаний у корпусі TO220F із вставним типом монтажу. Максимально допустима напруга затвор-емітер — ±20 В.