Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP9NK90Z — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на високу напругу та струм. Модель виготовлена за технологією SuperMesh™ у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT). Комплект поставки включає 10 одиниць.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 900 В
• Струм дрена: 5 А
• Потужність розсіювання: 160 Вт
• Корпус: TO220-3 для монтажу THT
• Технологія: SuperMesh™
• Комплектація: 10 шт.

Прилад працює з напругою дрена-джерела до 900 В та витримує струм дрена 5 А. Потужність розсіювання становить 160 Вт. Модель виготовлена за технологією SuperMesh™ у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT). Опір у стані провідності дорівнює 1,3 Ом, а допустима напруга затвор-джерело — ±30 В.

Корпус TO220-3 призначений для вивідного монтажу (THT). Версія: ESD. Опір у стані провідності дорівнює 1,3 Ом, а допустима напруга затвор-джерело — ±30 В.