IGBT-транзистор STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 у корпусі TO247-3 для монтажу на плату. Комплект складається з 5 елементів із номінальною напругою 650 В та струмом колектора 75 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Напруга колектор-емітер: 650 В
- Струм колектора: 75 А (225 А в імпульсі)
- Розсіювана потужність: 357 Вт
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Комплектація: 5 шт.
Напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 650 В та постійний струм колектора 75 А. У імпульсному режимі струм може досягати 225 А. Максимальна розсіювана потужність становить 357 Вт, а напруга на затворі обмежена ±30 В.
Корпус та монтаж
Елемент виконаний у корпусі TO247-3. Монтаж здійснюється виводами в отвори друкованої плати (THT). Загальний заряд затвора дорівнює 207 нКл.
Вбудований діод
У конструкцію транзистора інтегрований антипаралельний діод.