Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF20N65M5 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 650 В та струм 18 А. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі TO220FP для монтажу в отвори (THT).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 650 В
• Струм дрена: 18 А
• Потужність розсіювання: 30 Вт
• Опір у стані провідності: 0,19 Ом
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Технологія виробництва: MDmesh™
• Комплектація: набір із 10 транзисторів

Прилад має максимальну напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 18 А. Потужність розсіювання становить 30 Вт, а опір у стані провідності — 0,19 Ом. Транзистор виготовлений за технологією MDmesh™, що забезпечує його електричні параметри.

Компонент виконаний у корпусі TO220FP. Монтаж здійснюється в отвори (THT).