Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11NM60ND — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 10 А. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO220FP для монтажу на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга дренаж-джерело: 600 В
• Струм дренажу: 10 А (імпульсний до 40 А)
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Розсіювана потужність: 25 Вт
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Прилад витримує напругу між виводами дренажу та джерела до 600 В. Номінальний струм дренажу становить 10 А, а імпульсний струм може досягати 40 А. Опір у стані провідності дорівнює 0,45 Ом, що впливає на теплові втрати при роботі. Максимальна розсіювана потужність обмежена 25 Вт.

Транзистор виготовлений у корпусі TO220FP. Тип монтажу THT (through-hole technology) означає, що виводи проходять крізь отвори в друкованій платі та припаюються з іншого боку.

Комплект містить 5 транзисторів STF11NM60ND.