Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD1NK60-1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 600 В. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі I2PAK з технологією SuperMesh™ та захистом ESD.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 600 В
• Струм стоку: 0,63 А, потужність розсіювання: 30 Вт
• Корпус I2PAK, монтаж THT
• Технологія SuperMesh™, версія ESD
• Комплект: 20 шт.

Прилад має максимальну напругу стік-виток 600 В та струм стоку 0,63 А. Потужність розсіювання становить 30 Вт, а опір у відкритому стані — 8,5 Ом. Напруга затвор-виток обмежена ±30 В, що визначає режими керування транзистором.

Транзистор виготовлений у корпусі I2PAK. Монтаж виконується методом THT (through-hole technology), тобто виводи проходять крізь отвори на друкованій платі.

Використання технології SuperMesh™. Версія ESD передбачає захист від електростатичних розрядів.