Натисніть знайти для пошуку
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB13N60M2, 600В, 7А, D2PAK, 10 шт.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB13N60M2, 600В, 7А, D2PAK, 10 шт.
Характеристики та опис

Основні

ВиробникSTMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання110 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік25 В
Максимально допустима напруга стік-витік600 В
Максимально допустимий струм стоку7 А
Опір у відкритому стані (Rds)380 mOm

Додаткові характеристики

СтанНовий

Основні

Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий

Користувальницькі характеристики

ВерсіяESD
Гарантійний термін12 міс
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусD2PAK
ТехнологіяSuperMesh™

Набір із 10 польових транзисторів STMicroelectronics STB13N60M2 типу N-MOSFET у корпусі D2PAK. Розраховані на напругу до 600 В та струм до 7 А.

  • Тип: N-MOSFET, канал збагачений
  • Максимальна напруга стік-витік: 600 В
  • Максимальний струм стоку: 7 А
  • Потужність розсіювання: 110 Вт
  • Корпус: D2PAK, монтаж SMD
  • Технологія: SuperMesh™, версія ESD
  • Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні характеристики

Транзистори мають максимальну розсіювану потужність 110 Вт та витримують напругу стік-витік 600 В. Максимально допустимий струм стоку становить 7 А.

Корпус та технологія

Компоненти виконані в корпусі D2PAK із монтажем для поверхневого встановлення (SMD). Канал транзистора — збагачений, полярність — уніполярна. Версія ESD. Вироби виготовлені за технологією SuperMesh™.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB13N60M2, 600В, 7А, D2PAK, 10 шт.

В наявності
Код: TM114267
3 140 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
  • Як післяплата, тільки без переплат
  • Повернем гроші, якщо щось піде не так
  • Bigl гарантує безпеку
Післяплата
Нова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунок
IBAN UA063220010000026005360045578
Пром-оплата
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Самовивіз
Умови повернення
Уточнюйте у продавця
Новинки в категорії транзистори
Чат