Набір із 10 польових транзисторів STMicroelectronics STB13N60M2 типу N-MOSFET у корпусі D2PAK. Розраховані на напругу до 600 В та струм до 7 А.
- Тип: N-MOSFET, канал збагачений
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 7 А
- Потужність розсіювання: 110 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технологія: SuperMesh™, версія ESD
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні характеристики
Транзистори мають максимальну розсіювану потужність 110 Вт та витримують напругу стік-витік 600 В. Максимально допустимий струм стоку становить 7 А.
Корпус та технологія
Компоненти виконані в корпусі D2PAK із монтажем для поверхневого встановлення (SMD). Канал транзистора — збагачений, полярність — уніполярна. Версія ESD. Вироби виготовлені за технологією SuperMesh™.