Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW26NM60N — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO247 для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 3 однакових транзисторів, що реалізують технологію MDmesh™ II.
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 12,6 А
- Потужність розсіювання: 140 Вт
- Опір у стані провідності: 135 мОм
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Комплектація: 3 шт.
Напруга та струм
Прилад розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 12,6 А.
Потужність та опір
Потужність розсіювання становить 140 Вт,. Опір у стані провідності дорівнює 135 мОм, а допустима напруга затвор-джерело — ±30 В.