Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWT40H65DFB — це напівпровідниковий прилад у корпусі TO3P для монтажу на плату. Комплект складається з 5 елементів із номінальною напругою 650 В та струмом колектора 40 А.

• Тип транзистора: IGBT
• Напруга колектор-емітер: 650 В
• Струм колектора: 40 А
• Розсіювана потужність: 283 Вт
• Корпус: TO3P, монтаж THT
• Комплектація: 5 шт.

IGBT-транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 650 В та постійний струм колектора 40 А. У імпульсному режимі прилад витримує струм до 160 А. Максимальна розсіювана потужність становить 283 Вт, що визначає тепловий режим роботи.

Транзистор має вбудований антипаралельний діод. Напруга на затворі обмежена ±20 В, а заряд затвора дорівнює 0,21 мкКл. Монтаж виконується виводами в отвори плати (THT) у корпусі TO3P.