Транзистор IGBT STGW30NC60KD від STMicroelectronics у корпусі TO247-3. Пристрій розрахований на максимальну напругу 600 В та струм колектора 28 А при потужності розсіювання 200 Вт.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимальна напруга: 600 В
- Максимальний струм: 28 А
- Потужність розсіювання: 200 Вт
- Корпус: TO247-3
- Кількість у наборі: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з максимально допустимою напругою колектор-емітер 600 В та витримує струм колектора до 28 А. Максимальна потужність розсіювання становить 200 Вт. Заряд затвора (gate charge) дорівнює 96 нКл, а допустима напруга затвор-емітер — ±20 В.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO247-3 з вставним типом монтажу. Вбудований антипаралельний діод інтегрований у структуру транзистора.
Комплектація
У наборі постачається 5 транзисторів.