Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP10NC60KD — напівпровідниковий прилад у корпусі TO220AB. Комплект складається з 20 одиниць. Основні параметри: максимальна напруга колектор-емітер 600 В, струм колектора 10 А, потужність розсіювання 65 Вт.

• Напруга колектор-емітер: 600 В
• Струм колектора: 10 А
• Потужність розсіювання: 65 Вт
• Корпус: TO220AB
• Тип монтажу: вставний
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Транзистор розрахований на високу напругу: максимально допустима напруга колектор-емітер становить 600 В. Максимально допустимий струм колектора дорівнює 10 А. Максимальна потужність розсіювання — 65 Вт. Згідно з даними магазину, зарядка затвора — 19 нКл, а напруга затвор-емітер — ±20 В.

Прилад виконаний у корпусі TO220AB. Тип монтажу — вставний (THT). Транзистор має вбудований антипаралельний діод (integrated anti-parallel diode). Тип транзистора: IGBT (біполярний транзистор з ізольованим затвором).

У комплекті 20 шт. транзисторів.