IGBT-транзистор STMicroelectronics STGD10NC60KDT4 у корпусі DPAK для монтажу на поверхню. Комплект складається з 20 одиниць, призначених для електронних схем із навантаженням до 600 В та струмом колектора 10 А.
- Напруга колектор-емітер: 600 В
- Струм колектора: 10 А (30 А в імпульсі)
- Розсіювана потужність: 62 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Інтегрований антипаралельний діод
- Комплектація: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 600 В та постійний струм колектора 10 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 30 А. Максимальна розсіювана потужність становить 62 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у поверхневому корпусі DPAK. Монтаж здійснюється технологією SMD. Напруга на затворі обмежена діапазоном ±20 В, а заряд затвора дорівнює 19 нКл.
Особливості конструкції
У корпусі інтегрований антипаралельний діод.