Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 18 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 188 mOm |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
Основні
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF25N60M2-EP — це польовий транзистор з індукованим каналом у корпусі TO220FP. Комплект складається з 10 одиниць, призначених для вставного монтажу.
- Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 650 В
- Максимальний струм стоку: 18 А
- Опір у відкритому стані (Rds): 188 мОм
- Корпус: TO220FP
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Максимально допустима напруга стік-витік становить 650 В, а напруга затвор-витік — 25 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 18 А, при цьому опір у відкритому стані (Rds) — 188 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 30 Вт.
Конструкція та монтажТранзистор має тип монтажу «вставний» та виконаний у корпусі TO220FP. Це однополярний (unipolarny) компонент з індукованим каналом (wzbogacany). Заряд затвора становить 29 нКл, а імпульсний струм стоку — 72 А.
КомплектаціяУ комплекті постачається 10 шт. транзисторів. Транзистор виготовлений виробником STMicroelectronics, а його символ у каталозі TME — STF25N60M2-EP.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF25N60M2-EP, 650 В, 18 А, TO220FP (10 шт.)
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку