Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11N65M5 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення та технологією MDmesh™ M5. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220FP для монтажу на плату (THT).

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Напруга дрена-джерела: 650 В
• Струм дрена: 5,6 А (імпульсний до 36 А)
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Технологія: MDmesh™ M5
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 5,6 А. У імпульсному режимі струм може досягати 36 А. Опір у стані провідності становить 0,48 Ом.

Компонент виконаний у корпусі TO220FP. Монтаж здійснюється методом THT (в отвори на платі). Максимальна розсіювана потужність становить 25 Вт, а заряд затвора — 17 нКл.

У наборі постачається 10 транзисторів STF11N65M5.