Транзистор BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HC — це силовий N-MOSFET на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-3. Прилад розрахований на напругу 1,2 кВ та постійний струм 27 А.

• Тип: N-MOSFET на основі SiC
• Напруга стік-виток: 1200 В
• Струм стоку: 27 А (імпульсний 80 А)
• Потужність розсіювання: 241 Вт
• Опір у відкритому стані: 80 мОм
• Корпус: TO247-3, монтаж THT

Транзистор витримує напругу між стоком та витоком до 1,2 кВ. Номінальний струм стоку становить 27 А, а імпульсний струм може досягати 80 А.

Потужність розсіювання дорівнює 241 Вт. Це визначає тепловий режим роботи компонента під навантаженням.

Використання технології SiC (карбід кремнію) забезпечує опір у відкритому стані 80 мОм. Це зменшує втрати потужності у відкритому стані.

Транзистор є уніполярним із каналом збагачення. Монтаж виконується методом THT у корпусі TO247-3.