•
•
•
•
•
•
Модуль IGBT STMicroelectronics A1P35S12M3, 35 А, 1,2 кВ
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Тип монтажу | Вставний |
Користувальницькі характеристики
| Корпус | ACEPACK™1 |
Напівпровідниковий модуль IGBT від STMicroelectronics із моделлю A1P35S12M3. Це напівміст IGBT x3 зі струмом колектора 35 А та зворотною напругою 1,2 кВ.
- Струм колектора: 35 А
- Зворотна напруга: 1,2 кВ
- Максимальна потужність розсіювання: 250 Вт
- Максимальний струм колектора: 70 А
- Корпус: ACEPACK™1
- Тип монтажу: вставний
Модуль має максимальний допустимий струм колектора 70 А та максимальну потужність розсіювання 250 Вт. Зворотна напруга становить 1,2 кВ, а напруга затвор-емітер — ±20 В. Структура напівпровідника реалізована як транзистор/транзистор.
Конструкція та монтажКорпус модуля виконаний у форматі ACEPACK™1. Тип монтажу — вставний (plug-in). Топологія включає три напівмости IGBT та термістор NTC.
Модуль IGBT STMicroelectronics A1P35S12M3, 35 А, 1,2 кВ
В наявності
4 410 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Самовивіз
IBAN UA063220010000026005360045578
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Самовивіз
Умови повернення
Уточнюйте у продавцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Чат