Високоефективний N-канальний польовий транзистор AON6276, виготовлений за запатентованою технологією AlphaMOS, яка забезпечує найкраще у своєму класі поєднання низького опору у ввімкненому стані та швидкого перемикання. Цей транзистор призначений для роботи в сильноточних ланцюгах із напругою до 60 В.

Завдяки наднизькому опору відкритого каналу та компактному корпусу DFN5x6 (також відомому як QFN8 або 5x6mm), цей MOSFET ідеально підходить для застосунків із високою щільністю монтажу, де потрібне мінімальне виділення тепла та максимальний ККД.

Основні переваги:

• Екстремально низький опір (Rds on): Менш ніж 1.6 мОм за напруги на затворі 10 В, що практично унеможливлює втрати потужності на самому транзисорі.

• Високий струм стоку (Id): Здатність пропускати до 90 амперів робить його незамінним у силових модулях і контролерах електродвигунів.

• Оптимізований заряд затвора (Qg): Забезпечує блискавичне перемикання, знижуючи динамічні втрати в імпульсних схемах.

• Чудовий тепловідвід: Корпус DFN5x6 з відкритим тепловідвідним майданчиком на нижньому боці дає змогу ефективно відводити тепло в плату.

• Надійність 100% UIS протестовано: Гарантована стійкість до командного проб під час роботи на індуктивне навантаження.

Сфери застосування:

• Синхронне випрямлення в потужних блоках живлення (SMPS).

• Контролери безщіткових двигунів (BLDC) й електроінструменту.

• Інвертори напруги та системи безперебійного живлення (UPS).

• Ізольовані DC-DC перетворювачі в телекомунікаційному обладнанні.

• Захист акумуляторів у потужних BMS-платах.

Технічні характеристики:

• Тип каналу: N-channel (N-канальний);

• Максимальна напруга стік-висток (Vdss): 60 Вольтів;

• Максимальний струм стоку (Id): 90 Ампер (за температури корпусу 25 °C);

• Опір відкритого каналу (Rds on): тип. 1.3 мОм, макс. 1.6 мОм;

• Корпус: DFN5x6 (5x6 мм, SMD для поверхневого монтажу);

• Діапазон робочих температур: от -55°C до +150°C.