IRF640N — це потужний N-канальний польовий транзистор, створений за технологією HEXFET. Він поєднує в собі високу швидкість перемикання, низький опір у відкритому стані та чудову надійність. Завдяки робочій напрузі до 200 вольтів, цей транзистор є популярним вибором для пристроїв, де потрібне ефективне керування живленням за середніх напруги.

Корпус TO-220 забезпечує зручний монтаж на друковану плату та ефективне тепловідведення під час використання радіатора. Транзистор вирізняється стійкістю до бурхливого проб, що робить його довговічним у складних режимах роботи.

Технічні характеристики:

• Маркування: IRF640N

• Тип транзизора: N-канальний польовий (MOSFET)

• Максимальна напруга стік-висток (Vdss): 200 В

• Максимальний струм стоку (Id): 18 А (за 25 °C

• Опір стік-виток у відкритому стані (Rds on): 0.15 Ом

• Максимальна розсіювана потужність (Pd): 150 Вт

• Заряд затвора (Qg): 67 нКл

• Тип корпусу: TO-220AB

• Тип монтажа: Вихідний (в отвори)

• Діапазон робочих температур: от -55 до +175°C