IRFP150N — це потужний N-канальний польовий транзистор (MOSFET), виготовлений за технологією HEXFET. Він має дуже низький опір у відкритому стані та високу навантаження за струмом. Завдяки робочій напрузі до 100 вольтів и току до 42 Ампер, цей транзистор є ідеальним вибором для силових ланцюгів, де потрібна висока надійність і ефективність.

Корпус TO-247 забезпечує чудове тепловідведення, що критично важливо під час роботи у важких режимах під високим навантаженням. Транзистор оптимізований для високошвидкісного перемикання, що робить його незамінним у сучасних перетворювачах енергії.

Технічні характеристики:

• Маркування: IRFP150N

• Тип транзизора: N-канальний польовий (MOSFET)

• Максимальна напруга стік-висток (Vdss): 100 В

• Максимальний струм стоку (Id): 42 А (за 25 C)

• Опір стік-виток у відкритому стані (Rds on): 0.036 Ом

• Максимальна розсіювана потужність (Pd): 160 Вт

• Заряд затвора (Qg): 130 нКл

• Тип корпусу: TO-247AC

• Тип монтажа: Вихідний (в отвори)

• Діапазон робочих температур: от -55 до +175°C