IRFZ24N — це N-канальний польовий транзистор (MOSFET), виготовлений за технологією HEXFET. Він вирізняється вкрай низьким опором у відкритому стані та високою швидкістю перемикання. Завдяки своїй надійності та чудовим динамічним характеристикам, цей транзистор став стандартом для широкого спектра комерційних і промислових програм.

Корпус TO-220 дає змогу легко закріпити транзистор на радіаторі, що необхідно під час роботи з високими струмами до 17 Амперів. Низька порогова напруга затвора робить його зручним для використання в схемах із логічними рівнями керування.

Технічні характеристики:

• Маркування: IRFZ24N

• Тип транзизора: N-канальний польовий (MOSFET)

• Максимальна напруга стік-висток (Vdss): 55 В

• Максимальний струм стоку (Id): 17 А (за 25 C)

• Опір стік-виток у відкритому стані (Rds on): 0.07 Ом

• Максимальна розсіювана потужність (Pd): 45 Вт

• Заряд затвора (Qg): 20 нКл

• Тип корпусу: TO-220

• Тип монтажа: Вихідний (в отвори)

• Діапазон робочих температур: от -55 до +175°C