RJP63K2 — це біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT), створений компанією Renesas. Він поєднує в собі переваги польових транзисторів (легкість керування напругою) та біполярних (низька напруга насичення при великих струмах).

Ця модель розрахована на роботу з напругою до 630 В і здатна комутувати імпульсні струми до 35 А (постійний струм зазвичай нижчий, близько 10-15А залежно від охолодження). Корпус TO-220FL (Full Mold) повністю ізольований пластиком, що значно спрощує монтаж на спільний радіатор.

Основні сфери застосування:

• Плазмові телевізори (PDP): Робота в модулях X-Sustain та Y-Sustain (основне призначення).

• Потужні інвертори: Схеми перетворення напруги та частотні приводи.

• Імпульсні джерела живлення: Високовольтні каскади комутації.

• Схеми керування спалахами: Де потрібен миттєвий викид великої енергії.

Ключові переваги:

• Висока швидкість перемикання: Оптимізований для роботи на високих частотах без значних втрат.

• Ізольований корпус: Не потребує додаткових слюдяних прокладок при кріпленні до радіатора.

• Низька напруга насичення: Зменшує тепловиділення при проходженні великого струму.

• Висока надійність: Стійкість до короткочасних перевантажень по напрузі.

• Тип пристрою: IGBT (N-channel).

• Напруга колектор-емітер: 630 В.

• Струм колектора: 35 А (імпульсний до 150 А).

• Напруга затвор-емітер: ±30 В.

• Напруга насичення: ~1.7 В (типово).

• Потужність розсіювання: 30 – 40 Вт (залежно від режиму).

• Корпус: TO-220FL (повністю ізольований).