RJP63K2 — це біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT), створений компанією Renesas. Він поєднує в собі переваги польових транзисторів (легкість керування напругою) та біполярних (низька напруга насичення при великих струмах).
Ця модель розрахована на роботу з напругою до 630 В і здатна комутувати імпульсні струми до 35 А (постійний струм зазвичай нижчий, близько 10-15А залежно від охолодження). Корпус TO-220FL (Full Mold) повністю ізольований пластиком, що значно спрощує монтаж на спільний радіатор.
Основні сфери застосування:
-
Плазмові телевізори (PDP): Робота в модулях X-Sustain та Y-Sustain (основне призначення).
-
Потужні інвертори: Схеми перетворення напруги та частотні приводи.
-
Імпульсні джерела живлення: Високовольтні каскади комутації.
-
Схеми керування спалахами: Де потрібен миттєвий викид великої енергії.
Ключові переваги:
-
Висока швидкість перемикання: Оптимізований для роботи на високих частотах без значних втрат.
-
Ізольований корпус: Не потребує додаткових слюдяних прокладок при кріпленні до радіатора.
-
Низька напруга насичення: Зменшує тепловиділення при проходженні великого струму.
-
Висока надійність: Стійкість до короткочасних перевантажень по напрузі.
Технічні характеристики
-
Тип пристрою: IGBT (N-channel).
-
Напруга колектор-емітер: 630 В.
-
Струм колектора: 35 А (імпульсний до 150 А).
-
Напруга затвор-емітер: ±30 В.
-
Напруга насичення: ~1.7 В (типово).
-
Потужність розсіювання: 30 – 40 Вт (залежно від режиму).
-
Корпус: TO-220FL (повністю ізольований).