MT4002N5 — це високоефективний польовий транзистор, виготовлений за передовою технологією Trench MOSFET. Завдяки поєднанню низької напруги 44 B та здатності пропускати великі струми (60 А), він є чудовим вибором для сучасних DC-DC перетворювачів та систем керування двигунами.

Використання корпусу PDFN5x6 (також відомого як PowerDFN) забезпечує відмінні теплові характеристики при дуже компактних розмірах.  дозволяє транзистору працювати з мінімальним виділенням тепла навіть при високих амперних навантаженнях, що значно підвищує загальний ККД пристрою.

Основні сфери застосування:

• Перетворювачі напруги: DC-DC конвертери в ноутбуках, серверах та відеокартах.

• Керування двигунами: Драйвери безколекторних двигунів (BLDC) у дронах та електроінструментах.

• Захист акумуляторів: BMS-плати для літієвих батарей (Power Walls, електросамокати).

• Системи живлення: Комутація навантаження в телекомунікаційному обладнанні.

Ключові переваги:

• Екстремально низький опір: Всього 3.1  мОм для максимальної енергоефективності.

• Висока щільність струму: Здатність витримувати до 60 А у компактному SMD корпусі.

• Швидке перемикання: Оптимізований заряд затвора для роботи на високих частотах ШІМ.

• Термічна стабільність: Конструкція корпусу забезпечує ефективне відведення тепла на друковану плату.

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET

• Виробник: MT-Semi (Magnatech Semiconductor)

• Тип корпусу: PDFN5x6-8L (PowerDFN)

• Максимальна напруга сток-витік : 40 В

• Максимальний струм стоку : 60 А

• Опір у відкритому стані : 3.1 мОм

• Порогова напруга затвора: 1.2 – 2.5 В (Logic Level compatible)

• Заряд затвора : ~45 нКл

• Стан: Новий