TK20A60W — це високоефективний N-канальний MOSFET-транзистор, розроблений компанією Toshiba. Він виконаний у корпусі TO-220SIS (повністю ізольований корпус), що спрощує монтаж на радіатор, оскільки не потребує додаткових діелектричних прокладок.

Завдяки технології DTMOS IV, транзистор має низьку ємність затвора та малий опір відкритого каналу. Це робить його ідеальним для використання в сучасних енергоефективних імпульсних джерелах живлення, де важливі висока швидкість перемикання та мінімальні теплові втрати.

Основні сфери застосування:

• Імпульсні блоки живлення (SMPS): Основні силові ключі в серверних та промислових БЖ.

• Коректори коефіцієнта потужності (PFC): Використання у вхідних каскадах для підвищення ККД.

• Адаптери та зарядні пристрої: Компактні блоки живлення для ноутбуків та побутової техніки.

• Освітлення: Драйвери для потужних LED-систем.

Ключові переваги:

• Низький опір ($R_{DS(on)}$): Типове значення всього 0.13 Ом, що мінімізує нагрів.

• Ізольований корпус: TO-220SIS дозволяє кріпити транзистор прямо до радіатора без слюди.

• Висока швидкість: Оптимізований для роботи на високих частотах перемикання.

• Надійність: Висока стійкість до лавинного пробою та перенапруг.

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET

• Виробник: Toshiba

• Технологія: DTMOS IV

• Тип корпусу: TO-220SIS (ізольований)

• Максимальна напруга сток-витік : 600 В

• Максимальний струм стоку : 20 А

• Опір у відкритому стані : 0.13 Ом (типово) / 0.16 Ом (макс.)

• Напруга затвор-витік : ±30 В

• Заряд затвора: ~45 нКл

• Робоча температура: до +150°C

• Стан: Новий