Компактний високочастотний модуль перешкод для діапазону 5.8 ГГц (5725–5850 МГц), призначений для інтеграції у системи радіоелектронної боротьби. Це високотехнологічний модуль придушення для критично важливої частоти 5.8 ГГц — саме в цьому діапазоні працює переважна більшість сучасних FPV-дронів та систем передачі відеосигналу в реальному часі.

Рішення орієнтоване на протидію FPV-дронам (DJI FPV, DJI Avata, DJI Air 2S, DJI Mavic 3/Pro, Autel, Parrot Anafi, Yuneec) та іншим платформам, що використовують відеолінки 5.8 ГГц. Модуль забезпечує ефективне придушення відеоканалів і передачі даних, позбавляючи оператора можливості стабільного візуального наведення.

Побудований на GaN-технології (нітрид галію), модуль демонструє високу ефективність на мікрохвильових частотах та стабільну вихідну потужність 50 Вт навіть при тривалій безперервній роботі за умови належного тепловідводу. GaN-транзистор забезпечує кращу питому потужність і енергоефективність у порівнянні з LDMOS при тих самих габаритах.

Компактний форм-фактор (≈200 г) дозволяє інтегрувати модуль у стаціонарні, автомобільні та мобільні RF-платформи, де критично важливі габарити, маса та повторюваність параметрів.
 

Ключові переваги

• Вузька робоча смуга 5725–5850 МГц: оптимізоване узгодження саме під діапазон 5.8 ГГц.

• GaN-каскад: краща робота на високих частотах та вища питома потужність у порівнянні з LDMOS при тих самих габаритах.

• Вбудований захист вихідного каскаду: на RF-стороні використано ізолюючий вузол (циркулятор/ізолятор) з поглинальним навантаженням, що зменшує ризики від відбитої потужності при нестабільному узгодженні.

• Окрема лінія керування (PA_EN): зручне ввімкнення/вимкнення підсилювача зовнішньою логікою без розриву живлення.

Параметр — Значення

• Робочий діапазон частот — 5725–5850 МГц

• Вихідна потужність — 50 Вт (номінально)

• Живлення — DC 28 В

• Споживання струму — орієнтовно ≥4 А (залежить від режиму/навантаження)

• RF-роз’єм — SMA-Female

• Габарити — 112 × 38 × 19.5 мм

• Маса — ≈0.2 кг

• Робоча температура (згідно з паспортними даними) — −30…+55 °C

• Монтаж — гвинтове кріплення, теплопровідна основа

Що всередині модуля і чому це важливо

Модуль виконаний у металевому корпусі з теплопровідною базою (нижня площина працює як тепловий інтерфейс). Після зняття кришки видно типову для якісних мікрохвильових підсилювачів структуру:

• RF-тракт з вихідним ізолюючим вузлом (циркулятор/ізолятор у діапазоні 5.1–5.9 ГГц) та поглинальним навантаженням 50 Ω. Це елемент “живучості” — він приймає на себе частину відбитої енергії при поганому КСВ, захищаючи вихідний каскад.

• Силова частина живлення з фільтрацією (конденсатори) та DC-DC вузлом для службових напруг. Така архітектура робить роботу стабільнішою при просадках живлення/довгих проводах.

• Керуюча логіка (плата керування) — відповідає за роботу лінії PA_EN, узгоджує режими запуску/вимкнення та зменшує “ударні” режими при вмиканні.

З практичної точки зору це означає, що модуль зроблений не “впритул”, а з типовими вузлами захисту і керування, які якраз відрізняють надійний RF-підсилювач від спрощених рішень.

• GaN зазвичай дає вищу щільність потужності (більше ват на менший кристал/корпус) і краще почувається на високих частотах на кшталт 5.8 ГГц. Часто це дозволяє зробити модуль меншим і легшим при тій самій потужності.

• LDMOS сильний у нижчих діапазонах і може бути дуже надійним, але на 5.8 ГГц часто потребує більших габаритів або має менший “запас” по ефективності.

• Модуль потребує якісного тепловідводу: встановлення на теплопровідну основу/радіатор через термоінтерфейс (термопрокладка/паста), бажано з додатковим обдувом у закритих корпусах.

• Критично важливо: не вмикати модуль без коректного RF-навантаження (узгодженої антени або еквівалента навантаження/атенюатора). Робота “на розімкнення” або при грубому розузгодженні може пошкодити вихідний каскад і не є гарантійним випадком.

• Для інтеграції у системи керування використовується лінія PA_EN (окремий керуючий провід).