promo_download_app_ios_2025
Натисніть знайти для пошуку
VS Біполярний транзистор IGBT Give Every TO-263-2 300В 200А для плазмових панелей чіп для інверторів 32T8_V1
VS Біполярний транзистор IGBT Give Every TO-263-2 300В 200А для плазмових панелей чіп для інверторів 32T8_V1
VS Біполярний транзистор IGBT Give Every TO-263-2 300В 200А для плазмових панелей чіп для інверторів 32T8_V1
Характеристики та опис

Основні

СтанНовий
ТипКорпус

Користувальницькі характеристики

ЗнайшлиVS Біполярний транзистор IGBT Give Every TO-263-2 300 В 200 А для плазмових панелей чип для інверторів 32T8_V1
Ключові словаЧип 30F131,GT30F131,TO263-2,Транзистор IGBT
НаявністьДа
VS Біполярний транзистор IGBT Give Every TO-263-2 300В 200А для плазмових панелей чіп для інверторів 32T8_V1

30F131 TO-263-2 — біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT) для плазмових панелей

Лот із 1 штук 30F131 у корпусі TO-263-2 представляє собою високоефективний біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT), призначений для використання в плазмових панелях, інверторах та інших високовольтних електронних схемах. Цей чип забезпечує високу продуктивність при роботі з великими струмами, дозволяючи стабільно управляти навантаженням.

Максимальна напруга колектор-еміттер 300 В і максимальний струм 200 А роблять 30F131 надійним компонентом для потужних електронних систем. Напруга насичення при номінальному струмі становить 1.9 В, а розсіювана потужність до 140 Вт, що дозволяє використовувати транзистор у схемах з високою інтенсивністю роботи без перегріву та нестабільності.

Корпус TO-263-2 забезпечує зручний монтаж на друковані плати та ефективне відведення тепла за допомогою радіаторів або тепловідводів. Транзистор 30F131 використовується в промислових і побутових застосуваннях, де потрібне точне управління високими струмами і напругою. Простота інтеграції та висока надійність роблять цей компонент незамінним для інженерів і майстрів сервісних центрів, які займаються ремонтом та виготовленням плазмових панелей та інших високовольтних пристроїв.

Характеристики:
• Модель: 30F131
• Корпус: TO-263-2
• Максимальна напруга колектор-еміттер: 300 В
• Максимальний струм колектор-еміттер: 200 А
• Напруга насичення при номінальному струмі: 1.9 В
• Потужність: 140 Вт
• Тип: IGBT (біполярний транзистор з ізольованим затвором)

Вигідні покупки люблять швидкість!

Чому вибирають саме нас? Надійність, якість та гарантія на кожне замовлення.

Ми цінуємо вашу довіру: ціни, вказані на сайті, залишаються незмінними в день покупки.

Широкий вибір товарів дозволить кожному знайти те, що потрібно.

Ми впевнені в якості та даємо гарантію, а наш досвід дозволяє надавати сервіс, яким можна пишатися.

Ми цінуємо вашу довіру і завжди прагнемо кращого сервісу.

Дякую, що вибираєте нас — ми цінуємо кожного клієнта

Купуючи у нас, ви заощаджуєте час та гроші.

Наша мета – задоволені клієнти та довгострокова співпраця.

Тисячі задоволених клієнтів радять нас своїм друзям.

Доставка здійснюється надійними транспортними службами в будь-яке місто України.
Кожен замовлення обробляється максимально швидко.

Ми працюємо лише з перевіреними постачальниками.

У нас кожне замовлення важливе, незалежно від суми.

VS Біполярний транзистор IGBT Give Every TO-263-2 300В 200А для плазмових панелей чіп для інверторів 32T8_V1

Готово до відправки
Код: TVS_\69[633846]_/UM
114 
157 
-27%
Способи оплати
Безпечна оплата
  • Як післяплата, тільки без переплат
  • Повернем гроші, якщо щось піде не так
  • Bigl гарантує безпеку
Післяплата
Нова Пошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Умови повернення
Уточнюйте у продавця
Чат