DDR3 SDRAM — це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом і подвоєною швидкістю передавання даних. Переваги, порівнюючи з DDR2: вища пропускна здатність (до 19200 МБ/с), знижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення), менше енергоспоживання та покращене енергоощадження.

Модуль памяти DDR3 8GB 1600 MHz Silicon Power (SP008GBLTU160N02) — це модуль пам'яті, який працює з тактовою частотою 1600 MHz і з піковою швидкістю передавання даних 12800 МБ/с. Модуль пам'яті має параметр CL11, що позначає величину латентності, рівну 11. CAS-латентність — перший і найважливіший параметр у таймінінгах, позначає кількість тактів, необхідних для видавання даних на шину.