•
•
•
•
•
•
IRFD9014PBF MOSFET силовий транзистор - [HVMDIP]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 8.8 А: Rсі (вкл): 0.5 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
Товар недоступний - перегляньте схожі товари
![IRFD9014PBF MOSFET силовий транзистор - [HVMDIP]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 8.8 А: Rсі (вкл): 0.5 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:](https://images.prom.ua/6942452640_w640_h320_6942452640.jpg)
![IRFD9014PBF MOSFET силовий транзистор - [HVMDIP]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 8.8 А: Rсі (вкл): 0.5 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:](https://images.prom.ua/6942452640_w640_h640_6942452640.jpg)
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 1.3W (Ta) |
| Місткість затвора | 270 pF @ 25 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 10V |
| Заряд затвора | 12 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 60 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 1.1 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 500mOhm @ 660mA 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | HVMDIP |
IRFD9014PBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET силовий транзистор - [HVMDIP]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 8.8 А: Rсі (вкл): 0.5 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В: Uзатв (макс): 20 В
IRFD9014PBF MOSFET силовий транзистор - [HVMDIP]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 8.8 А: Rсі (вкл): 0.5 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
Недоступний
85 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяДивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат