•
•
•
•
•
•
IRF840ASPBF MOSFET силовий транзистор - [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 8 А: Rсі (вкл): 0.85 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
Товар недоступний - перегляньте схожі товари
![IRF840ASPBF MOSFET силовий транзистор - [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 8 А: Rсі (вкл): 0.85 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:](https://images.prom.ua/6942450937_w640_h320_6942450937.jpg)
![IRF840ASPBF MOSFET силовий транзистор - [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 8 А: Rсі (вкл): 0.85 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:](https://images.prom.ua/6942450937_w640_h640_6942450937.jpg)
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 3.1W (Ta) 125W (Tc) |
| Місткість затвора | 1018 pF @ 25 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 10V |
| Заряд затвора | 38 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±30V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 500 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 8 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 850mOhm @ 4.8A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | D2PAK |
IRF840ASPBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET силовий транзистор - [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 8 А: Rсі (вкл): 0.85 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В: Uзатв ( макс): 30 В
IRF840ASPBF MOSFET силовий транзистор - [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 8 А: Rсі (вкл): 0.85 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
Недоступний
220 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяДивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат