•
•
•
•
•
•
IRF7478PBF MOSFET транзистор - SOIC-8-3.9, Тип: N, Uси: 60 В, Іс (25 ° C): 7 А, Rсі (вкл): 20 ... 26 мОм, -55 ... 150 ° C
Товар недоступний - перегляньте схожі товари
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | IR |
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 2.5W (Ta) |
| Місткість затвора | 1740 pF @ 25 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 31 nC @ 4.5 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 60 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 7 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 3V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 26mOhm @ 4.2A, 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | SOIC-8 |
IRF7478PBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET транзистор - SOIC-8-3.9, Тип: N, Uси: 60 В, Іс (25 ° C): 7 А, Rсі (вкл): 20 ... 26 мОм, -55 ... 150 ° C
IRF7478PBF MOSFET транзистор - SOIC-8-3.9, Тип: N, Uси: 60 В, Іс (25 ° C): 7 А, Rсі (вкл): 20 ... 26 мОм, -55 ... 150 ° C
Недоступний
104 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяДивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат