•
•
•
•
•
•
FDC658AP МОП-транзистор, P Канал, 4 А, -30 В, 0.044 Ом, -10 В, -1.8 В
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 1.6W (Ta) |
| Місткість затвора | 470 pF @ 15 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 8.1 nC @ 5 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±25V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 30 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 4 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 3V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 50mOhm @ 4A, 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | SOT6 |
FDC658AP Транзистор польовий MOSFET
МОП-транзистор, P Канал, 4 А, -30 В, 0.044 Ом, -10 В, -1.8 В
FDC658AP МОП-транзистор, P Канал, 4 А, -30 В, 0.044 Ом, -10 В, -1.8 В
В наявності
124 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат