•
•
•
•
•
•
MSG80N350HLC0 IGBT + Diode: N, Vce: 330 V, Vge: 30V, 320 pF, VGEth: 5.5 V, 175 nC.
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Час наростання _x000D_ типове | 120 nS |
| Вихідна ємність, _x000D_ типова | 320 pF |
| Максимальна _x000D_ розсіювана потужність | 420 W |
| Максимальна _x000D_ температура переходу | 150 ℃ |
| Максимально _x000D_ допустима напруга іміттер-закрив | 30 V |
MSG80N350HLC0 Транзистор IGBT
IGBT + Diode: N, Vce: 330 V, Vge: 30V, 320 pF, VGEth: 5.5 V, 175 nC.
MSG80N350HLC0 IGBT + Diode: N, Vce: 330 V, Vge: 30V, 320 pF, VGEth: 5.5 V, 175 nC.
В наявності
358 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 60 грн
Укрпошта — від 35 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
Подібні товари інших продавців
Дивіться також
Новинки в категорії діоди
Улюблені товари покупців
Чат