•
•
•
•
•
•
SI4925DDY-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET, польовий, -30В, -8А, 5Вт, SO8
Товар недоступний - перегляньте схожі товари
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | Vishay Intertechnology |
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 5W (Tc) |
| Місткість затвора | 1350 pF @ 15 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 50 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 30 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 8 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 3V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 29mOhm @ 7.3A, 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | SO8 |
SI4925DDY-T1-GE3 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: P-MOSFET, польовий, -30В, -8А, 5Вт, SO8
SI4925DDY-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET, польовий, -30В, -8А, 5Вт, SO8
Недоступний
292 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяДивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат