Польовий транзистор IRF640N у корпусі TO-220AB призначений для роботи у високочастотних імпульсних джерелах живлення, перетворювачах напруги, регуляторах потужності та інших електронних схемах. Цей MOSFET відрізняється високою надійністю та здатністю працювати при значних струмах і напругах.

Основні характеристики:

• Тип: N-канальний MOSFET

• Корпус: TO-220AB

• Максимальний струм "сток-джерело" (I_D): 18 А

• Максимальна напруга "сток-джерело" (V_DS): 200 В

• Лот: 10 штук

• Застосування: імпульсні блоки живлення, драйвери, регулятори потужності, DIY-проєкти, силова електроніка

Переваги:

• Високий струм та напруга, придатні для силових ланцюгів

• Універсальний N-канальний MOSFET для різних схем

• Компактний та надійний корпус TO-220AB

• Лот з 10 штук для зручності масового монтажу або заміни