•
•
•
•
•
•
CSD18542KCS МОП-транзистор 60V N-channel NexFET Power МОП-транзистор
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | TI |
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 200W (Tc) |
| Місткість затвора | 5070 pF @ 30 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 57 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 60 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 200 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 2.2V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 44mOhm @ 100A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-220 |
CSD18542KCS Транзистор польовий MOSFET
МОП-транзистор 60V N-channel NexFET Power МОП-транзистор
CSD18542KCS МОП-транзистор 60V N-channel NexFET Power МОП-транзистор
В наявності
254 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат