•
•
•
•
•
•
C3M0120090D МОП-транзистор G3 SiC МОП-транзистор 900V, 120mOhm
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 97W (Tc) |
| Місткість затвора | 414 pF @ 600 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 15V |
| Заряд затвора | 17.3 nC @ 15 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | +18V -8V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 900 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 23 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 3.5V @ 3mA |
| Опір каналу у відкритому стані | 155mOhm @ 15A 15V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-247 |
C3M0120090D Транзистор польовий MOSFET
МОП-транзистор G3 SiC МОП-транзистор 900V, 120mOhm
C3M0120090D МОП-транзистор G3 SiC МОП-транзистор 900V, 120mOhm
В наявності
1 523 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат