•
•
•
•
•
•
IRF640NSTRLPBF MOSFET транзистор: N-канал, 200 В, 18 А, 150 мОм
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 150W (Tc) |
| Місткість затвора | 1160 pF @ 25 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 10V |
| Заряд затвора | 67 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 200 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 18 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 150mOhm @ 11A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-263(D2PAK) |
IRF640NSTRLPBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET транзистор: N-канал, 200 В, 18 А, 150 мОм
IRF640NSTRLPBF MOSFET транзистор: N-канал, 200 В, 18 А, 150 мОм
В наявності
37.5 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
53.75 ₴
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат