•
•
•
•
•
•
AON6403 Транзистор: P-MOSFET, польовий, -30В, -67А, 33Вт
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 2.3W (Ta) 83W (Tc) |
| Місткість затвора | 9120 pF @ 15 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 196 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 30 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 21 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 2.2V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 3.1mOhm @ 20A 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | DFN5X6 |
AON6403 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: P-MOSFET, польовий, -30В, -67А, 33Вт
AON6403 Транзистор: P-MOSFET, польовий, -30В, -67А, 33Вт
В наявності
56.25 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
53.75 ₴
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат