•
•
•
•
•
•
LXES1UTAA1-157 Модуль захисту від електростатичного розряду, DFN1006, 2 контакти, 6 В, LXESxxT
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Cd — місткість діода | 0.5 pF |
| Vеср — напруга _x000D_ електростатичного розряду під час повітряного проміжку | 15 kV |
| Vеср — напруга _x000D_ електростатичного розряду під час контакту | 8 kV |
| Категорія продукту | Діоди для захисту _x000D_ від ЕСР/діоди для придушення перехідних стрибків напруги |
| Кількість каналів | 1 Channel |
| Напруга пробою | 7 V |
| Полярність | Bidirectional |
| Виробник | MURATA |
| Робоча температура | - 40 C ... + 85 C |
| Робоча напруга | 5.5 V |
| Тип виводів | SMD/SMT |
| Тип корпусу | DFN-1006-2 |
| Тип продукту | TVS Diodes |
LXES1UTAA1-157 Мікросхема
Модуль захисту від електростатичного розряду, DFN1006, 2 контакти, 6 В, LXESxxT
LXES1UTAA1-157 Модуль захисту від електростатичного розряду, DFN1006, 2 контакти, 6 В, LXESxxT
В наявності
13.75 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії інтегральні мікросхеми
Улюблені товари покупців
Чат