Лот з 1 штуки 30F131 у корпусі TO-263-2 являє собою високоефективний біполярний транзистор із ізольованим закривом (IGBT), призначений для використання в плазмових панелях, інверторах та інших високовольтних електронних схемах. Цей чип забезпечує високу продуктивність під час роботи з великими струмами, даючи змогу стабільно керувати навантаженням.

Максимальна напруга колектор-емітер 300 В і максимальний струм 200 А роблять 30F131 надійним компонентом для потужних електронних систем. Напруга насичення за номінального струму становить 1.9 В, а розсіювана потужність до 140 Вт, що дає змогу використовувати транзистор у схемах із високою інтенсивністю роботи без перегрівання та нестабільності.

Корпус TO-263-2 забезпечує зручний монтаж на друковані плати й ефективне відведення тепла за допомогою радіаторів або тепловідводів. Транзистор 30F131 застосовується в промислових і побутових пристроях, де потрібне точне керування високими струмами та напругою. Простота інтеграції та висока надійність роблять цей компонент незамінним для інженерів і майстрів сервісних центрів, що займаються ремонтом і виготовленням плазмових панелей та інших високовольтних пристроїв.

Характеристики:
• Модель: 30F131
• Корпус: TO-263-2
• Максимальна напруга колектор-емітер: 300 В
• Максимальний струм колектор-емітер: 200 А
• Напруга насичення за номінального струму: 1.9 В
• Потужність: 140 Вт
• Тип: IGBT (біполярний транзистор із ізольованим закривом)