•
•
•
•
•
•
FDN352AP Транзистор P-MOSFET, польовий, -30В, -1,3А, 500мВт
Товар недоступний - перегляньте схожі товари
Схожі товариВсі
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | ONS |
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 500mW (Ta) |
| Місткість затвора | 150 pF @ 15 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 1.9 nC @ 4.5 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±25V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 30 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 1.3 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 2.5V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 180mOhm @ 1.3A 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | SOT-23 |
FDN352AP Транзистор польовий MOSFET
Транзистор P-MOSFET, польовий, -30В, -1,3А, 500мВт
FDN352AP Транзистор P-MOSFET, польовий, -30В, -1,3А, 500мВт
Недоступний
20 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяДивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат