•
•
•
•
•
•
AOD3N50 Транзистор: N-MOSFET: польовий: 500В: 1,8А: 57Вт
Товар недоступний - перегляньте схожі товари
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 57W (Tc) |
| Місткість затвора | 331 pF @ 25 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 10V |
| Заряд затвора | 8 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±30V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 500 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 2.8 |
| Мін. робоча температура, | -50 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 4.5V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 3Ohm @ 1.5A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-252 |
AOD3N50 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET: польовий: 500В: 1,8А: 57Вт
AOD3N50 Транзистор: N-MOSFET: польовий: 500В: 1,8А: 57Вт
Недоступний
45 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяДивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат