DDR3, 4 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 1600 МГц, Таймінги - CL11, Напруга живлення - 1.35 В

Модуль пам'яті DDR3 4GB 1600 MHz Silicon Power (SP004GLLTU160N02) працює з тактовою частотою 1600 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 12800 МБ / с. DDR3 SDRAM - це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних. 

Модуль пам'яті DR3 4GB 1600 MHz Silicon Power має параметр CL11, що означає величину латентності, рівну 11. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину. Переваги в порівнянні з DDR2: більш висока пропускна здатність - понижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення), менше енергоспоживання та поліпшене енергозбереження.