MOSFET-транзистор PSMN2R6-80YSFX — 80 V, 231 A, 2.4 mΩ, LFPAK56E

Виробник: Nexperia
Модель: PSMN2R6-80YSF
Тип: MOSFET (польовий), N-Channel
Корпус: LFPAK56E (Power-SO8, SOT1023)

Макс. напруга стік-джерело (Vds): 80 V
Струм стоку (Id):
- 231 A (при Vgs = 10 V, Tmb = 25°C)
- 163 A (при Tmb = 100°C)
Опір відкритого каналу (Rds(on)):
- 1.9 мΩ тип. / 2.4 мΩ макс. @ 25°C
- 3.1 мΩ тип. / 4.3 мΩ макс. @ 105°C
Потужність розсіювання (Ptot): 294 W @ Tmb = 25°C
Макс. імпульсний струм (Idm): 923 A (tp ≤ 10 µs)
Температура переходу (Tj): –55…+175 °C
Напруга затвор–джерело (Vgs): ±20 V
Енергія лавинного пробою (Eas): 383 mJ

PSMN2R6-80YSF застосовується у синхронних випрямлячах AC-DC та DC-DC перетворювачів, виконує роль первинного ключа у DC-DC топологіях, використовується для керування BLDC двигунами, у USB-PD адаптерах, а також у повномостових і напівмостових схемах, резонансних та flyback-конфігураціях.