Компактний RF-підсилювач, розрахований на 47 dBm (≈ 50 Вт) при живленні 24 – 30 V DC. Побудований на високоефективному GaN-HEMT-каскаді, оснащений феритовим циркулятором RFTYI WG2532X-1-150N (150 Вт) й демпфувальною RF-губкою під кришкою, що гасить внутрішні резонанси. Корпус 125 × 61 × 20 мм (320 г) служить одночасно радіатором; модуль стабільно працює 24/7 у пилу, вібраціях та –40 … +70 °C.
Ключові параметри
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Робоча смуга | 2700 – 2900 МГц |
| Вихідна потужність | 47 ± 1 dBm ≈ 50 Вт |
| Роз’єм / ізоляція | SMA-female + циркулятор 150 Вт |
| ККД @ 28 V | ≈ 55 % |
| Захисти | VSWR, T > 90 °C, надструм |
| Живлення | 24 – 30 V DC, ≤ 5,2 A |
| Габарити / маса | 125 × 61 × 20 мм / 0,32 кг |
| GaN | LDMOS |
|---|---|
| > 50 % ККД при 28 V → менше тепла, менший радіатор | 35–40 % ККД, зайва вага та обдув |
| Витримує вищі напруги та температури | Чутливий до перенапруги й перегріву |
| Компактні чіпи → модуль легший на 20–30 % | Більші корпуси, важчий керамічний фланець |
| Стабільне посилення на високих частотах (до 6 ГГц) | Ефективність різко падає після 3 ГГц |
| Краще переносить короткочасний VSWR | Часто «вигорає» при розузгодженні антени |
Підсумок: GaN-транзистори дають ту ж потужність у менших габаритах, менше гріються й надійніше працюють у польових умовах, де ідеальний КСВ не гарантований.
Внутрішня плата Titan-GaN 50 Вт (2700 – 2900 МГц)
-
Силовий каскад GaN-HEMT 50 Вт – фланцевий транзистор із паспортом 60 Вт; робочі 47 dBm мають запас.
-
Драйвер – QFN-підсилювач +30 dBm; мікросмужкове узгодження та індуктивності забезпечують рівну АЧХ.
-
Циркулятор-ізолятор RFTYI 150 Вт – модель WG2532X-1-150N; відбитий сигнал відводить у порт 3 із навантаженням 50 Ω.
-
RF-поглинач (чорна губка під кришкою) демпфує стоячі хвилі всередині корпуса у діапазоні > 2,5 ГГц.
-
Контроль і захист – MCU, термодатчик, шунт струму; при T > 90 °C або VSWR > 1,5 каскад вимикається.
-
Фільтр живлення – дросель 47 µH + конденсатор 47 µF @ 50 V.
-
Монтаж – срібний припій, теплові «містки» стягнуті гвинтами; якісний відвід тепла і міцність.
-
Подаємо 28 V на червоний (+) і чорний (–) дроти.
-
Під’єднуємо еквівалент 50 Ω → 47 ± 1 dBm.
-
Знімаємо навантаження → модуль іде у захист, підтверджуючи роботу циркулятора та контролера.
-
GaN-HEMT + циркулятор RFTYI 150 Вт – ті ж компоненти стоять у військових РЕБ-станціях; ресурс > 10 000 год.
-
Кожен екземпляр проходить заводовий прогрів і стендовий тест.
-
Багаторівневий захист робить підсилювач «неубиваним» у реальних бойових умовах.
Titan-GaN 2700–2900 МГц – професійний 50-ватний модуль із повноцінним ізолятором, контролем та RF-поглиначем – надійне серце вашої РЕБ-системи.