Компактний високочастотний підсилювач для С-/ISM-смуги, що забезпечує 47 dBm (≈ 50 Вт) на виході SMA при живленні 24 – 30 V DC. Зібраний на високоефективному GaN-HEMT каскаді, оснащений феритовим циркулятором RFTYI 150 Вт і повним набором автозахистів (VSWR, перегрів, надструм). Корпус 125 × 45 × 20 мм (320 г) виконує роль радіатора; модуль інтегрується за хвилину й витримує безперервну роботу 24/7 у пилу, вібрації й –40…+70 °C.
Ключові параметри
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Робоча смуга | 2100 – 2250 МГц |
| Вихідна потужність | 47 ± 1 dBm ≈ 50 Вт |
| Роз’єм / ізоляція | SMA-female + феритовий циркулятор RFTYI 150 Вт |
| ККД @ 28 V | ≈ 55 % (каскад GaN-HEMT) |
| Захисти | VSWR, T > 90 °C, I > 5 A |
| Живлення | 24 – 30 V DC, споживання ≤ 5,2 A |
| Габарити / маса | 125 × 45 × 20 мм / 0,32 кг |
| GaN | LDMOS |
|---|---|
| > 50 % ККД при 28 V → менше тепла, менший радіатор | 35–40 % ККД, зайва вага та обдув |
| Витримує вищі напруги та температури | Чутливий до перенапруги й перегріву |
| Компактні чіпи → модуль легший на 20–30 % | Більші корпуси, важчий керамічний фланець |
| Стабільне посилення на високих частотах (до 6 ГГц) | Ефективність різко падає після 3 ГГц |
| Краще переносить короткочасний VSWR | Часто «вигорає» при розузгодженні антени |
Підсумок: GaN-транзистори дають ту ж потужність у менших габаритах, менше гріються й надійніше працюють у польових умовах, де ідеальний КСВ не гарантований.
Що всередині Titan-GaN 2100–2250 МГц
Силовий каскад GaN-HEMT 50 Вт
-
Центр плати — фланцевий транзистор (S9N04 … ), паспортний максимум ≈ 60 Вт, тож робочі 47 dBm мають хороший запас.
Драйверний каскад
-
Над силовим блочком — чорний QFN-підсилювач +30 dBm.
-
Узгодження — мікросмужки та індуктивність у лакованій емалі, що тримає рівну АЧХ у всій смузі.
ВЧ-трансформатор/розв’язка
-
Для цієї смуги використано керамічний перехідний трансформатор (жовтий брусок) із широкою смугою 1,9 – 2,6 ГГц, який мінімізує небажаний зворотний зв’язок.
Феритовий циркулятор-ізолятор RFTYI
-
Модель WG2532X-1-100 (150 Вт, 2,1 – 2,35 ГГц).
-
Стрілка «1 → 2» — на антену; відбитий сигнал іде в порт 3 із навантаженням 50 Ω.
Контроль і захист
-
MCU + термодатчик + шунт струму.
-
При T > 90 °C або VSWR > 1,5 каскад відмикається (зелений LED гасне, червоний спалахує).
Фільтрація живлення
-
LC-фільтр: дросель 47 µH + конденсатор 47 µF/50 V відсікає імпульсні шуми.
-
Робочий струм під навантаженням ≤ 5,2 A.
Якість монтажу
-
Срібний припій, очищений флюс, теплові «містки» притягнуті гвинтами до 4-мм алюмінієвого корпусу-радіатора.
Швидкий тест потужності
-
Подайте 28 V на червоний (+) і чорний (–) дроти.
-
Під’єднайте еквівалент 50 Ω — отримайте 47 ± 1 dBm.
-
Зніміть навантаження — модуль піде у захист → циркулятор та контролер працюють справно.
Чому можна довіряти Titan-GaN
-
GaN-HEMT + циркулятор RFTYI 150 Вт — компоненти рівня військових передавачів; ресурс > 10 000 год.
-
Кожен модуль проходить заводовий прогрів і наш стендовий тест.
-
Багаторівневий захист робить підсилювач практично «неубиваним» у польових умовах.
Titan-GaN 2100 – 2250 МГц — професійний 50-ватний модуль з повноцінним ізолятором і контролем — надійне серце вашої РЕБ-системи.
Серія роликів офіційних тестів модулів Titan-GaN 50 Вт: вимір потужності, КСВ та спектра.