N-Channel Power MOSFET, 2A 600V RDS(on) 4.4Ω
Характеристики
| Корпус | I-PAK |
| Структура | N |
| Схема соединения | Одиночный |
| V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | ±20 V |
| Id25 - постоянный ток стока при 25°C | 2 А |
| Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V | 3.6 Ом |
| VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) | 2 ... 4 V |
| Мощность рассеяния при 25°C | 1.25 Вт |