•
•
•
•
•
•
Транзистор IGBT SGT50T65FD1PN
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Максимально допустима напруга колектор-база | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 100 А |
| Максимально допустимий струм стоку | 50 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 235 Вт |
|
Максимально допустима напруга колектор-емітер |
650В |
|
Максимально допустима напруга затвор-емітер |
±20В |
|
Максимальний струм колектора у відкритому стані при t=25проС |
100А |
|
Максимальний струм колектора у відкритому стані при t=100проС |
50А |
|
Струм колектора в імпульсі |
150 А |
|
Вбудований діод |
присутній |
|
Максимальний прямий струм діода |
25А |
|
Макс. потужність розсіювання на колекторі при t=25проС |
235 Вт |
|
Тип корпусу |
TO-3P |
Транзистор IGBT SGT50T65FD1PN
5
(1)
Готово до відправки
75 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
IBAN UA633220010000026001310065438
Способи доставки
Нова Пошта — Безкоштовно за умови
Укрпошта — від 35 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за домовленістюІнші товари продавця
Подібні товари інших продавців
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат