Транзистор IRGP50B60PD1 — це високоефективний N-канальний IGBT транзистор із номінальними характеристиками 75А і 600 В, обладнаний вбудованим антипаралельним HEXFRED® діодом на 25 А. Цей транзистор належить до родини WARP2TM, яка спеціально розроблене для використання в застосунках із високочастотною комутацією до 150 кГц і потужністю до 12 кВт.

 

Застосування:
Транзистор IRGP50B60PD1 застосовується в потужних коректорах коефіцієнта потужності, джерелах безперебійного живлення, імпульсних промислових джерел живлення й інверторних зварювальних апаратах.

Завдяки своїм високим струмовим і тепловим характеристикам, цей транзистор ідеальний для AC-DC перетворювачів, які використовуються в серверних і телекомунікаційних джерелах живлення.

 

Переваги:
Висока ефективність: Низькі втрати під час вимкнення та мінімальний час спаду під час вимкнення забезпечують високу ефективність у застосунках.
Теплові характеристики: Завдяки малій товщині кристала та високій питомі щільності струму транзистор має покращені теплові характеристики.
Самовирівнювання струмів: Позитивний тепловий коефіцієнт опору каналу дає змогу транзисторів автоматично вирівнювати струми за паралельного з'єднання, що покращує їхню надійність і довговічність.

 

Цей транзистор ідеально підходить для застосування в пристроях, де потрібна висока надійність, низькі комутаційні втрати та чудові теплові характеристики, забезпечуючи водночас компактність і ефективність.

 

Характеристики

• Позначення на корпусі GP50B60PD1
• Тип каналу IGBT N-канальний
• Наявність вбудованого діода
• Максимальна напруга колектор-емітер 600 В
• Максимальний струм колектор-емітер за 25 °C, 75 А
• Імпульсний струм колектора 150 А
• Максимальна розсіювана потужність 390 Вт
• Напруга насичення колектор-емітер за +25 °C 2,35 В
• Заряду затвора 205 нКл
• Час увімкнення 30 нс
• Час вимкнення 130 нс
• Робоча температура -50... +150 ° C
• Тип корпусу TO247