•
•
•
•
•
•
Транзистор GT50JR22
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | Toshiba |
Користувальницькі характеристики
| Час відновлення діода (25°С/tmax) | 350 нс (typ) |
| Корпус | TO-3PN |
| Макс. напруга колектор-емітер | 600 |
| Макс. постійний струм діода (25°С) | 40 А |
| Макс. ток колектора (100°C) | 44 А |
| Макс. ток колектора (25°C) | 50 А |
| Потужність розсіювання при 25°C | 230 Вт |
| Напруга затвор - емітер | 25 V |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
IGBT+Diode 600V 50A
Характеристики
Характеристики
| Корпус | TO-3PN |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема соединения | Одиночный |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 600 V |
| Напряжение затвор - эмиттер | 25 V |
| Макс. ток коллектора (25°C) | 50 А |
| Макс. ток коллектора (100°C) | 44 А |
| Макс. постоянный ток диода (25°С) | 40 А |
| Время восстановления диода (25°С/tmax) | 350 нс (typ) |
| Мощность рассеяния при 25°C | 230 Вт |
Транзистор GT50JR22
Готово до відправки
84.7 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за домовленістюІнші товари продавця
33.21 ₴
6.53 ₴
29.06 ₴
41.51 ₴
13.28 ₴
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат