IRG4PC50UD - це ізольований IGBT транзистор з ультрашвидким діодом з м'яким відновленням. Він оптимізований для роботи на високих частотах в діапазоні 8-40 кГц у режимі жорсткого перемикання та понад 200 кГц у резонансному режимі. Цей транзистор створений на основі технології четвертого покоління IGBT і має вбудовані діоди HEXFRED™ для застосування в мостових конфігураціях.

Технічна інформація

Тип транзистора: IGBT
Максимальна напруга колектора-емітера (VCES): 600 В
Середній струм колектора (IC): 27 А (при TC = 100°C)
Імпульсний струм колектора (ICM): 220 А
Напруга затвор-емітер (VGE): ±20 В
Максимальна потужність розсіювання (PD): 200 Вт (при TC = 25°C)
Частота роботи: 8-40 кГц (жорстке перемикання), >200 кГц (резонансний режим)
Тип корпусу: TO-247AC
Температурний діапазон роботи (TJ): -55°C до +150°C
Тепловий опір (RθJC): 0,64 °C/Вт

Призначення

IRG4PC50UD призначений для використання в силових перетворювачах, зокрема в інверторах, джерелах живлення та пристроях з жорстким перемиканням на високих частотах. Завдяки низьким втратам і високій ефективності, цей транзистор підходить для застосувань, де важлива енергоефективність і надійність.

IGBT, транзистор, IRG4PC50UD, силовий транзистор, високочастотний транзистор, HEXFRED діод, TO-247AC, силова електроніка, перетворювач, інвертор, джерело живлення.

IRG4PC50UD транзистор, IGBT з діодом, силова електроніка, транзистор TO-247AC, високочастотний IGBT, HEXFRED діод, транзистор 600 В, високоефективний транзистор, транзистор для інвертора, перетворювач живлення, транзистор 27 А.